Бази даних


Наукова періодика України - результати пошуку


Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (6)Реферативна база даних (8)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій



Пошуковий запит: (<.>A=Славин В$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 7
Представлено документи з 1 до 7
1.

Кривчиков А. А. 
Нарушение трансляционной симметрии основного состояния электронного газа на неупорядоченной решетке-матрице [Електронний ресурс] / А. А. Кривчиков, В. В. Славин // Науковий вісник Ужгородського університету. Сер. : Фізика. - 2014. - Вип. 35. - С. 136-142. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvuufiz_2014_35_23
Попередній перегляд:   Завантажити - 465.465 Kb    Зміст випуску     Цитування
2.

Славин В. В. 
Магнитные свойства квантовой модели Шастри–Сазерленда со спином S = 1/2 [Електронний ресурс] / В. В. Славин, А. А. Кривчиков // Физика низких температур. - 2014. - Т. 40, № 11. - С. 1260-1266. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2014_40_11_8
При помощи метода точной диагонализации изучена зависимость намагниченности от внешнего поля системы с решеткой Шастри - Сазерленда и спином S = 1/2 в рамках xxz-модели при нулевой температуре. Обнаружено, что в отличие от классической модели Гейзенберга, плато, соответствующие приведенным намагниченностям m<^>* = msat = 1/4, 1/3, 1/2 (msat - максимальная намагниченность), присутствуют даже в случае изотропного обменного взаимодействия. Изучено влияние обменной анизотропии на ширины данных плато. Показано, что в зависимости от соотношения обменных констант можно выделить 3 области, соответствующие различному поведению системы. Это область "неелевского" антиферромагнетика, область "димерного" антиферромагнетика и лежащая между ними промежуточная область, где наиболее ярко проявляются свойства решеток Шастри - Сазерленда. Определены границы данных областей.
Попередній перегляд:   Завантажити - 380.576 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
3.

Славин В. В. 
Структура основного состояния одномерного обобщенного вигнеровского кристалла на слаборазупорядоченной решетке-матрице [Електронний ресурс] / В. В. Славин, А. А. Кривчиков // Физика низких температур. - 2016. - Т. 42, № 9. - С. 1000-1006. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2016_42_9_14
Изучена структура основного состояния одномерной системы электронов на слаборазупорядоченной решетке-матрице (эпитаксиальной подложке). Показано, что при сколь угодно слабом беспорядке в позициях узлов решетки-матрицы дальние корреляции в электронной системе разрушаются. Получена аналитическая зависимость, связывающая величину разупорядочения решетки-матрицы и типичный размер электронной системы, на котором происходит разрушение дальнего порядка.
Попередній перегляд:   Завантажити - 351.324 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
4.

Пастур Л. А. 
О баллистическом транспорте в каналах с отрицательным преломлением частиц [Електронний ресурс] / Л. А. Пастур, В. В. Славин, А. В. Яновский // Фізика низьких температур. - 2018. - Т. 44, № 7. - С. 905-913. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2018_44_7_16
Рассмотрен баллистический транспорт в канале, состоящем из двух слоев, в предположении, что на их границе осуществляется отрицательное преломление движущихся по каналу частиц, аналогичное известному в оптике эффекту Веселаго. К такой постановке может приводить электронный транспорт в графене и вейлевских металлах, где отрицательное преломление обусловлено эффектом Клейна на p - n-переходе, а также спиновый, например фотонный, транспорт в метаматериалах. Показано, что в квазиклассическом приближении граница с отрицательным преломлением обладает свойством, аналогичным рассеянию назад, и поэтому может существенно влиять на транспорт через длинные и узкие каналы даже в случае совершенной границы. Если же граница не является совершенной (шероховатости, адсорбированные примеси и т.п.), и процессы преломления (туннелирования) и отражения происходят случайно, то набор интересных свойств канала существенно расширяется и открывает возможности эффективного управления прохождением частиц через такие каналы, включая как режим плавного управления, так и режим жесткой отсечки.
Попередній перегляд:   Завантажити - 635.704 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
5.

Пирятинская В. Г. 
Температурное поведение края фундаментального поглощения света в квазидвумерном кристалле MnPS3 [Електронний ресурс] / В. Г. Пирятинская, И. С. Качур, В. В. Славин, А. В. Еременко, Ю. М. Высочанский // Физика низких температур. - 2012. - Т. 38, № 9. - С. 1097-1101. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2012_38_9_13
Проведены измерения спектров поглощения света в слоистом полупроводнике MnPS3 в диапазоне температур 12 - 160 K, охватывающем температуру магнитного упорядочения. Показано, что коэффициент межзонного поглощения света хорошо описывается в рамках модели для прямых разрешенных переходов в трехмерных соединениях, а увеличение температуры приводит к эффективному уменьшению ширины запрещенной зоны. Предложена теоретическая модель, описывающая оптические переходы в кристалле MnPS3. Сравнение экспериментальных и теоретических данных свидетельствует об адекватности выбранной модели.
Попередній перегляд:   Завантажити - 727.105 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
6.

Славин В. В. 
Влияние прижимающего потенциала на устойчивость электронного кристалла над поверхностью жидкого гелия [Електронний ресурс] / В. В. Славин, А. А. Кривчиков // Физика низких температур. - 2012. - Т. 38, № 12. - С. 1390-1394. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2012_38_12_4
Описан механизм нарушения устойчивости электронного кристалла (ЭК) над поверхностью жидкого гелия при прижимающих электрических полях, меньших поля полной компенсации заряда. В рамках одноэлектронной модели и квазиклассического приближения получена зависимость параметра устойчивости ЭК как функции внешнего прижимающего поля. Показано, что при сколь угодно слабой "недокомпенсации" внешнего поля электроны уходят с поверхности гелия как термоактивационным путем, так и посредством туннелирования. Вклад туннелирования резко возрастает при увеличении концентрации электронов. На основании предложенной модели дано объяснение экспериментальных результатов, полученных при измерении электрических свойств ЭК над поверхностью жидкого гелия.
Попередній перегляд:   Завантажити - 368.483 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
7.

Пастур Л. А. 
Аккумуляция спин-поляризованных состояний носителей заряда и спинтронная батарея [Електронний ресурс] / Л. А. Пастур, В. В. Славин, А. В. Яновский // Фізика низьких температур. - 2020. - Т. 46, Вип. 7. - С. 857-868. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2020_46_7_13
Попередній перегляд:   Завантажити - 884.415 Kb    Зміст випуску     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського